Next Level Epitaxy bringt Innovation zu den Menschen. Breitbandige Halbleiter schneller, nachhaltiger und um bis zu 90 Prozent günstiger herstellen zu können, versetzt Unternehmen in Wachstumsbranchen wie der autonomen Mobilität, künstlichen Intelligenz oder im Energie- und Energieeffizienz-Sektor in eine ganz andere Ausgangslage, wenn es darum geht, Neues zu entwickeln. Wir verschaffen unseren Partner_innen entscheidende Vorteile, von denen am Ende alle profitieren, auch die Endkund_innen.
Hochwertige Halbleiterelemente sind die Basis für hochqualitative LEDs. Der ACCELERATOR 3500K ermöglicht die kostengünstige Herstellung von monokristallinen AIN-Schichten als Startschicht für das nachfolgende GaN-Wachstum. Damit sparen unsere Kund_innen teure Prozesszeit im komplexen MOCVD-Reaktor. Zudem erhöhen wir auch die Homogenität der Schichten maßgeblich und damit die Ausbeute auf Chipebene.
microLEDs verbrauchen bis zu 50 Prozent weniger Energie als herkömmliche OLED-Displays, bei besserer Luminosität und hervorragendem Kontrast, und gelten daher als das Next Big Thing in der Display-Industrie. Der ACCELERATOR 3500K setzt aufgrund seiner hohen Fertigungspräzision bereits jetzt neue Maßstäbe für einen bislang sehr kostenintensiven Herstellungsprozess. Auf lange Sicht arbeitet Element 3—5 bereits daran, das herkömmliche Verfahren komplett zu ersetzen, da die niedrige Prozesstemperatur perspektivisch Kristallwachstum direkt auf Glas oder Folie ermöglicht.
Moderne Telekommunikation erfordert die Möglichkeit, große Datenmengen auf großer Bandbreite sehr schnell zu übertragen. Bulk-Acoustic-Wave-Filter dominieren aufgrund ihrer technischen Eigenschaften bereits in der Anwendung. Mit dem ENABLER 150K gelingt es, die notwendigen piezoelektrischen Materialien – AIN oder AIScN – in monokristalliner Qualität zu züchten. Das neuartige Verfahren von ELEMENT 3—5 ermöglicht hohe Schichthomogenität, anpassbare Gitterstruktur und Schichtstärke und eine hervorragende Layer-Qualität bei einem Kernprodukt moderner Informationstechnologie.
Die Halbleiter-Revolution von ELEMENT 3—5 birgt das Potenzial, einen der interessantesten und wachstumsstärksten Märkte im gesamten Halbleitersegment – die Hochleistungselektronik – grundlegend zu verändern. Durch die niedrigeren Prozesstemperaturen lässt sich beispielweise Aluminiumnitrid auf Silikon aufbringen, ohne dessen Halbleitereigenschaften zu beeinträchtigen. Die monokristalline Fertigung ermöglicht hervorragende Schichtqualitäten zu mehr als wettbewerbsfähigen Preisen. Der ACCELERATOR 3500K sorgt außerdem für größtmögliche Flexibilität bei der Waferdimension.
